亮点:完全集成的HBM2E存储器接口解决方案,包括经过验证的PHY和控制器,可实现业界最快的性能。
新的性能基准支持人工智能/机器学习(AI / ML)培训应用程序所需的TB级。
带宽加速器与SK hynix和Alchip合作开发2.5D HBM2E存储系统解决方案,采用TSMC N7工艺和CoWoS®。
先进的封装技术可提供无与伦比的系统专业知识,为客户提供支持,并提供中介层和封装参考设计,以加快产品上市时间。
加利福尼亚州圣何塞,2020年9月10日/ PRNewswire /-Rambus Inc.(NASDAQ:RMBS)是硅IP和芯片提供商专注于使数据更快,更安全并引领行业。
今天,宣布其HBM2E存储器接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。
该解决方案包括一个完全集成的PHY和控制器,以及业内最快的SK hynix,以3.6Gbps的速度运行HBM2E DRAM。
该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB / s的带宽。
此性能可以满足TB级带宽要求,并且是针对最苛刻的AI / ML培训和高性能加速器计算(HPC)应用程序而设计的。
Rambus HBM2E 4Gbps发送器眼图“基于Rambus的成就,在设计系统时,AI和HPC系统的设计人员可以使用SK hynix以3.6Gbps的速度运行世界上最快的HBM2E DRAM”。
SK海力士发言人兼产品规划副总裁Uksong Kang说。
“今年7月,我们宣布量产HBM2E,可用于需要最高带宽的最新计算应用”。
完全集成且可立即生产的Rambus HBM2E内存子系统以4Gbps的速度运行,而无需PHY电压过载。
Rambus,SK hynix和Alchip合作,采用了台积电(TSMC)领先的N7工艺和CoWoS®。
先进的封装技术,实现了HBM2E 2.5D系统,以验证Rambus HBM2E PHY和芯片中的存储控制器IP。
Alchip和Rambus的工程团队共同设计,负责中介层和封装基板的设计。
台积电设计基础设施管理部高级总监李硕(Suk Lee)说:“ Rambus及其合作伙伴基于台积电先进的工艺技术和封装技术所取得的进步,是我们与Rambus持续合作的另一个重要结果。
我们期待着它。
继续与Rambus合作,以实现AI / ML和HPC应用程序的最高性能”。
“通过这次合作,Alchip在7nm和2.5D封装的设计上取得了非凡的成功”。
Alchip Technologies首席执行官Johnny Shen说。
“我们为Rambus的突破性成就感到非常自豪”。
Rambus拥有30年的高速存储器设计经验,并将其应用于最苛刻的计算应用程序。
其众所周知的信号完整性专业知识是实现能够运行4 Gbps的HBM2E存储器接口的关键。
这为满足AI / ML培训中不满足的带宽需求设置了新的基准。
& nbsp;& nbsp;& nbsp;& nbsp;& nbsp; “具有高达4 Gbps的硅计算速度,设计人员可以验证未来HBM2E升级的方向,并有信心为3.6 Gbps设计空间提供足够的利润”。
Rambus IP核心总经理兼高级总监。
马修·琼斯(Matthew Jones)表示:“参与每个客户项目流程,Rambus提供2.5D封装和中介层,以提供参考设计,以确保成功完成关键任务AI / ML设计”。
Rambus HBM2E存储器接口(PHY和控制器)的优势:基于单个3.6 Gbps HBM2E DRAM 3D设备提供460 GB的系统带宽,实现了每针4 Gbps的业界最高速度。
完全集成并经过验证的HBM2E PHY和控制器降低了ASIC设计的复杂性,并加快了上市时间,包括2.5D封装和中介层参考设计。
作为IP授权的一部分,它提供了Rambus系统与SI / PI专家之间的直接连接,以帮助ASIC设计人员确保组件和系统的最佳信号和电源完整性具有独特的LabStation™软件开发环境,该环境可以有效地隔离问题,协助客户快速进行系统照明,功能测试,调试和调试,并支持高性能应用程序,包括最先进的AI / ML培训和HPC系统。
有关Rambus接口IP,PHY和控制器的更多信息,请访问以下网页rambus .com / interface-ip相关链接:https://www.rambus.com/