亮点：完全集成的HBM2E存储器接口解决方案，包括经过验证的PHY和控制器，可实现业界最快的性能。新的性能基准支持人工智能/机器学习（AI / ML）培训应用程序所需的TB级。
带宽加速器与SK hynix和Alchip合作开发2.5D HBM2E存储系统解决方案，采用TSMC N7工艺和CoWoS＆reg;。先进的封装技术可提供无与伦比的系统专业知识，为客户提供支持，并提供中介层和封装参考设计，以加快产品上市时间。
加利福尼亚州圣何塞，2020年9月10日/ PRNewswire /-Rambus Inc.（NASDAQ：RMBS）是硅IP和芯片提供商专注于使数据更快，更安全并引领行业。今天，宣布其HBM2E存储器接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。
该解决方案包括一个完全集成的PHY和控制器，以及业内最快的SK hynix，以3.6Gbps的速度运行HBM2E DRAM。该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB / s的带宽。
此性能可以满足TB级带宽要求，并且是针对最苛刻的AI / ML培训和高性能加速器计算（HPC）应用程序而设计的。 Rambus HBM2E 4Gbps发送器眼图“基于Rambus的成就，在设计系统时，AI和HPC系统的设计人员可以使用SK hynix以3.6Gbps的速度运行世界上最快的HBM2E DRAM。
” SK海力士发言人兼产品规划副总裁Uksong Kang说。 “今年7月，我们宣布量产HBM2E，可用于需要最高带宽的最新计算应用。
”完全集成且可立即生产的Rambus HBM2E内存子系统以4Gbps的速度运行，而无需PHY电压过载。 Rambus，SK hynix和Alchip合作，采用了台积电（TSMC）领先的N7工艺和CoWoS＆reg;。
先进的封装技术，实现了HBM2E 2.5D系统，以验证Rambus HBM2E PHY和芯片中的存储控制器IP。 Alchip和Rambus的工程团队共同设计，负责中介层和封装基板的设计。
台积电设计基础设施管理部高级总监李硕（Suk Lee）说：“ Rambus及其合作伙伴基于台积电先进的工艺技术和封装技术所取得的进步，是我们与Rambus持续合作的另一个重要结果。我们期待着它。
继续与Rambus合作，以实现AI / ML和HPC应用程序的最高性能。” “通过这次合作，Alchip在7nm和2.5D封装的设计上取得了非凡的成功。
” Alchip Technologies首席执行官Johnny Shen说。 “我们为Rambus的突破性成就感到非常自豪。
” Rambus拥有30年的高速存储器设计经验，并将其应用于最苛刻的计算应用程序。其众所周知的信号完整性专业知识是实现能够运行4 Gbps的HBM2E存储器接口的关键。
这为满足AI / ML培训中不满足的带宽需求设置了新的基准。 ＆amp; nbsp;＆amp; nbsp;＆amp; nbsp;＆amp; nbsp;＆amp; nbsp; “具有高达4 Gbps的硅计算速度，设计人员可以验证未来HBM2E升级的方向，并有信心为3.6 Gbps设计空间提供足够的利润。
” Rambus IP核心总经理兼高级总监。马修·琼斯（Matthew Jones）表示：“参与每个客户项目流程，Rambus提供2.5D封装和中介层，以提供参考设计，以确保成功完成关键任务AI / ML设计。
” Rambus HBM2E存储器接口（PHY和控制器）的优势：基于单个3.6 Gbps HBM2E DRAM 3D设备提供460 GB的系统带宽，实现了每针4 Gbps的业界最高速度。完全集成并经过验证的HBM2E PHY和控制器降低了ASIC设计的复杂性，并加快了上市时间，包括2.5D封装和中介层参考设计。
作为IP授权的一部分，它提供了Rambus系统与SI / PI专家之间的直接连接，以帮助ASIC设计人员确保组件和系统的最佳信号和电源完整性具有独特的LabStation™软件开发环境，该环境可以有效地隔离问题，协助客户快速进行系统照明，功能测试，调试和调试，并支持高性能应用程序，包括最先进的AI / ML培训和HPC系统。有关Rambus接口IP，PHY和控制器的更多信息，请访问以下网页rambus .com / interface-ip相关链接：https://www.rambus.com/。