1.根据材料可分为：硅二极管，锗二极管2.根据结构可分为：点接触式，表面接触式，扁平型●点接触式二极管，电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。

●面接触二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。

●平面二极管，当结面积大时可以通过大电流，适用于大功率整流，并且当结面积小时可以用作数字电路中的开关管。

3.根据用途可分为：普通二极管，整流二极管，开关二极管，齐纳二极管等.1。

最大整流电流IOM二极管允许长时间使用时流经二极管的最大正向平均电流。

2.反向击穿电压UBr二极管反向击穿的电压。

在击穿期间反向电流激增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热和烧毁。

手册中给出的最高反向工作电压UWRM通常是UBR的一半。

3.反向电流IR是指二极管施加反向峰值工作电压时的反向电流。

反向电流很大，表明管的单向导电性差，因此反向电流越小越好。

反向电流受温度影响，温度越高，反向电流越大。

硅管的反向电流很小，歧管的反向电流比硅管的反向电流大几十到几百倍。

4.微可变电阻器rD rD是二极管特性曲线的工作点Q附近的电压变化与电流变化的比率：5。

电极间二极管的两极之间存在电容。

二极管。

该电容器由两部分组成：屏障电容器CB和扩散电容器CD。

（1）屏障电容：屏障区域是累积空间电荷的区域。

当电压改变时，它引起在势垒区域中累积的空间电荷的变化，使得所呈现的电容是势垒电容。

（2）扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区域的少数（电子）在P区域具有浓度差，并且越接近PN结浓度，电子积累越多在P区。

类似地，N区域中存在空穴的累积。

正向电流大，累积电荷大。

由此产生的电容器是扩散电容器CD。

CB在正向和反向偏置中都不容忽视。

在反向偏置的情况下，由于载流子数量少，扩散电容可以忽略不计。

半导体二极管的伏安特性是流过二极管的电流和二极管两端的电压之间的关系。

该图显示了半导体二极管的伏安特性曲线。

（1）正向特性当VD> 0处于正向特征区域时，正向区域被分成两个段：1当0 <VD <Vth时，外部电场不足以克服PN结的内部电场，正向电流为零，Vth称为死区或导通电压。

当VD> Vth时，内部电场大大减弱，并且正向电流开始出现并呈指数增长。

Si二极管的死区电压为Vth = 0.5V，Ge二极管的死区电压为Vth = 0.1V。

（2）反转特性VBR＆lt; V＆lt;如图0所示，反向电流很小，并且随着反向电压的变化不会发生显着变化。

此时的反向电流也称为反向饱和电流IS。

（3）反向击穿特性当PN结的反向电压增加到一定值（VD≤VBR）时，反向电流突然迅速增加。

这种现象称为PN结的反向击穿。

在反向区域中，硅二极管和锗二极管的特性是不同的。

硅二极管的反向击穿特性相对较硬且陡峭，反向饱和电流也很小。

锗二极管的反向击穿特性更柔和，过渡更平滑，反向饱和电流更大。