根据国外媒体的报道，8月25日，芯片制造厂台积电（TSMC）像国外媒体先前所预期的那样，在今天开始的全球技术论坛上披露了有关下一代先进工艺3nm的更多细节。 2020年的台积电全球技术论坛是其第26届全球技术论坛。
论坛共享了第一代5nm，第二代5nm和4nm等先进工艺的信息，但是5nm工艺已经投入生产。在这种情况下，外界最期待的是3nm工艺，是5nm之后的下一个新工艺节点。
在今天的论坛上，台积电还披露了有关3nm工艺的相关信息。他们的3nm工艺将继续使用鳍式场效应（FinFET）晶体管，而不是三星计划在3nm工艺节点上使用的环绕栅晶体管（GAA）。
与第一代5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片性能提高10％至15％，并将能耗降低25％至30％。台积电承诺3nm工艺的晶体管密度将是5nm工艺的1.7倍。
外国媒体在报告中说，台积电的3nm工艺的晶体管密度将是第一代7nm工艺的三倍，这可以使芯片的功耗降低51％，性能提高32％。根据计划，台积电的3nm工艺将于明年进入风险试生产，批量生产将于2022年下半年开始。